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Réseau de diffraction réalisé par lithographie e-beam
© III-V-LAB.
Tags associés : diodes laser, III-V-LAB,
En résumé
Réseau de diffraction réalisé par lithographie e-beam. III-V-LAB.
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : Réseau de diffraction réalisé par lithographie e-beam (période inférieure à 300nm).
Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
