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Ruban ridge de quelques µm de large, fabrication de diodes laser monofréquences
© III-V-LAB.
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En résumé
Ruban ridge de quelques µm de large, fabrication de diodes laser monofréquences. III-V-LAB.
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : Ruban ridge de quelques µm de large.
Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
