Type de publics : Grand Public
Un laser de la Terre à la Lune
Unités : mode d’emploi
En 2018, les physiciens changent la façon de définir les unités fondamentales comme le kilogramme ou le mètre. On pourra maintenant toutes les fabriquer à l’aide de méthodes scientifiques utilisant des constantes fondamentales et des théories bien établies. Plus besoin d’étalons ou de références humaines. Voici les 7 nouveaux « modes d’emploi » pour fabriquer ces unités, à télécharger sous pleins de formats librement.
Les posters, cartes et images à télécharger :
– Les posters pour toutes les unités en un fichier (pdf, 3 MB)
– Toutes les cartes postales recto-verso dans un fichier (pdf, 2 MB)
Diode laser packagée en boîtier TO3 hermétique
Diode laser packagée en boîtier TO3 hermétique.
III-V Lab a développé et fabrique des diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium. Ces lasers sont utilisés dans des horloges atomiques à jet thermique de Césium. Ces raies sont atteintes pour des puissances optiques comprises entre 20mW et 50mW, et des températures comprises entre 25°C et 40°C. Ces lasers ont un faible courant de seuil, un rendement élevé, une largeur de raie inférieure à 1MHz et une très bonne fiabilité.
Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium : laser sur embase C
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : laser sur embase C.
III-V Lab maîtrise l’ensemble des opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
Fils d’or de connexion de la puce laser
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : Fils d’or de connexion de la puce laser.
Ces lasers sont utilisés dans des horloges atomiques à jet thermique de Césium. Ces raies sont atteintes pour des puissances optiques comprises entre 20mW et 50mW, et des températures comprises entre 25°C et 40°C. Ces lasers ont un faible courant de seuil, un rendement élevé, une largeur de raie inférieure à 1MHz et une très bonne fiabilité.
Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications temps-fréquence.
Ruban ridge de quelques µm de large, fabrication de diodes laser monofréquences
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : Ruban ridge de quelques µm de large.
Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
Réseau de diffraction réalisé par lithographie e-beam
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : Réseau de diffraction réalisé par lithographie e-beam (période inférieure à 300nm).
Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
Tests de vieillissement des diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium
Tests de vieillissement des diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab.
Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
Caractérisation des diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium
Caractérisation des diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab.
III-V Lab maîtrise l’ensemble des opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
Traitement diélectrique des faces laser haute et faible réflectivités pour la fabrication de diodes laser
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : Traitement diélectrique des faces laser haute et faible réflectivités.
III-V Lab maîtrise l’ensemble des opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
