Diode laser packagée en boîtier TO3 hermétique.

III-V Lab a développé et fabrique des diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium. Ces lasers sont utilisés dans des horloges atomiques à jet thermique de Césium. Ces raies sont atteintes pour des puissances optiques comprises entre 20mW et 50mW, et des températures comprises entre 25°C et 40°C. Ces lasers ont un faible courant de seuil, un rendement élevé, une largeur de raie inférieure à 1MHz et une très bonne fiabilité.

Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.

Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab   : laser sur embase C.

III-V Lab maîtrise l’ensemble des  opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.

Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab   : Fils d’or de connexion de la puce laser.

Ces lasers sont utilisés dans des horloges atomiques à jet thermique de Césium. Ces raies sont atteintes pour des puissances optiques comprises entre 20mW et 50mW, et des températures comprises entre 25°C et 40°C. Ces lasers ont un faible courant de seuil, un rendement élevé, une largeur de raie inférieure à 1MHz et une très bonne fiabilité.

Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications temps-fréquence.

Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab   : Ruban ridge de quelques µm de large.

Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.

Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab   : Réseau de diffraction réalisé par lithographie e-beam (période inférieure à 300nm).

Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.

Tests de vieillissement des diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab.

Les moyens et les savoirs faire de III-V Lab permettent d’adresser le développement d’autres composants pour les applications Temps-fréquence.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.

Caractérisation des diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab.

III-V Lab maîtrise l’ensemble des  opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.

Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : Traitement diélectrique des faces laser haute et faible réflectivités.

III-V Lab maîtrise l’ensemble des  opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.

Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab   : Etape de gravure par ICP (Inductively Coupled Plasma).

III-V Lab maîtrise l’ensemble des  opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.

Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab   : Etapes de photolithographie.

III-V Lab maîtrise l’ensemble des  opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.